Focused Ion Beam Fabrication of Electrochemically Synthesized Nanowire-Based Electrodes

Abstract

A new nanoelectrode device with a gap size of about 30 nm was fabricated using 200 nm in diameter electrochemically synthesized Au nanowire. The gap was created by Focused Ion Beam milling at 10¹⁷ ions / cm² and dwell time of 0.2 µs. The I-V characterization of the circuit prior to FIB milling and of the empty gap circuit in air showed the resistances of 0.55 MΩ and 4 GΩ, respectively.

200 nm çapında elektrokimyasal yöntem ile sentezlenmiş altın nanotelden açıklığı yaklaşık olarak 30 nm olan yeni nanoelektrotlann üretimi gerçekleştirilmiştir. Açıklık 10¹⁷ iyon / cm² öğütme ve 0.2 µs durma zamanı parametrelerinin kullanıldığı odaklanmış iyon demeti (FIB) ile sağlanmıştır. FIB ile öğütme öncesi ve havada devrenin boşluk aralığının I-V karakterizasyonu sonucu direncin sırasıyla 0.55 ile 4 GΩ, arasında olduğu belirlenmiştir.