| dc.contributor.advisor | Turan, Evren | |
| dc.contributor.author | Taşköprü, Turan | |
| dc.date.accessioned | 2010-09-22T16:32:23Z | |
| dc.date.available | 2010-09-22T16:32:23Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.uri | | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11421/5135 | |
| dc.description | Tez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesi | en_US |
| dc.description | Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı | en_US |
| dc.description | Kayıt no: 183393 | en_US |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada In?S? yarıiletken filmleri Ardışık İyonik Tabaka Adsorpsiyon ve Reaksiyonu (SILAR) yöntemiyle 40, 50, 60, 80, 100, 150 ve 200 SILAR döngü sayılarında ve oda sıcaklığında elde edilmiştir. Filmlerin yapısal ve optik özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin tetragonal ve hekzagonal polikristal yapıya sahip oldukları belirlenmiştir. In?S? filmlerinin 190-3300 nm dalgaboyu aralığında yapılan absorbans ve geçirgenlik ölçümleri incelenmiştir. Filmlerin direkt bant geçişine sahip olduğu ve SILAR döngü sayılarına göre yasak enerji aralığı değerinin 2,27 - 2,98 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. | en_US |
| dc.language.iso | tur | en_US |
| dc.publisher | Anadolu Üniversitesi | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | İnce filmler -- Optik özellikler | en_US |
| dc.subject | Yarıiletkenler | en_US |
| dc.subject | X ışınları -- Kırınım | en_US |
| dc.subject | Adsorpsiyon | en_US |
| dc.title | SILAR yöntemiyle In2S3 yarıiletken filminin elde edilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi | en_US |
| dc.type | masterThesis | en_US |
| dc.contributor.department | Fen Bilimleri Enstitüsü | en_US |
| dc.identifier.startpage | X, 66 y. : resim + 1 CD-ROM. | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | en_US |
