| dc.contributor.advisor | Öksüzoğlu, R. Mustafa | |
| dc.date.accessioned | 2020-06-11T06:29:20Z | |
| dc.date.available | 2020-06-11T06:29:20Z | |
| dc.date.issued | 2018 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11421/23248 | |
| dc.description.abstract | Sıcaklık farkıyla yarı iletken fazdan iletken faza geçişe sahip olması ve bilinen birçok dikkat çekici özellikleri nedeniyle Vanadyum Oksit (VOx), farklı uygulamalar için kullanılmaktadır. Ayrıca, yüksek TCR (direncin sıcaklık sabiti) değeri, düşük elektriksel gürültü ve düşük elektriksel direnç (R) gibi değerlere sahip olması nedeniyle Vanadyum Oksit ön plana çıkmaktadır. Bu yüksek lisans tezi kapsamında, vurmalı DC reaktif magnetron sıçratma (P-DC RMS) yöntemi ile Si/SiO2 ve Si/SiO2/Si3N4 alttaşları üzerinde farklı kalınlıklarda büyütülen VOx ince filmlere gaz oranının, alttaş etkisinin ve kalınlığının etkisi incelenmiş, elektriksel ve yapısal özellikleri arasındaki bağlantıya bakılmıştır. | en_US |
| dc.language.iso | tur | en_US |
| dc.publisher | Tez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesi | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.title | Nano ölçekli vanadyum oksit ince film akıllı malzemelerin farklı kalınlıklarda büyütülmesi | en_US |
| dc.type | masterThesis | en_US |
| dc.contributor.department | Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | en_US |
| dc.contributor.institutionauthor | Gozalı, Ulviyya | |
