| dc.contributor.author | Aybek, Ahmet Şenol | |
| dc.date.accessioned | 2019-10-20T09:31:12Z | |
| dc.date.available | 2019-10-20T09:31:12Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.identifier.issn | 1300-8692 | |
| dc.identifier.uri | http://www.trdizin.gov.tr/publication/paper/detail/TXpBNE16TXo= | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11421/17630 | |
| dc.description.abstract | Bu çalışmada spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen $Zn (In_2S_3)S$ yapısındaki yarıiletken bileşiğinin, oda sıcaklığında çekilen optik spektrumlarından, yasak enerji aralıkları 2,65-3,00eV olarak hesaplanmış ve direkt geçişli bant yapısına sahip oldukları belirlenmiştir. | en_US |
| dc.description.abstract | In this study, the energy gap values of $Zn (In_2S_3)S$ compound semiconductor films produced by means of spray pyrolysis method are calculated to be 2.65-3.00eV from optical absorption spectrum of films at room temparature. | en_US |
| dc.language.iso | tur | en_US |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en_US |
| dc.subject | Ortak Disiplinler | en_US |
| dc.title | $Zn (In_2S_3)S$ yarıiletken filmlerinin optik absorpsiyonu | en_US |
| dc.title.alternative | Optical absorptions of $Zn (In_2S_3)S$ semiconductor films | en_US |
| dc.type | other | en_US |
| dc.relation.journal | Anadolu Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi | en_US |
| dc.contributor.department | Anadolu Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü | en_US |
| dc.identifier.issue | 7 | en_US |
| dc.identifier.startpage | 147 | en_US |
| dc.identifier.endpage | 156 | en_US |
| dc.relation.publicationcategory | Diğer | en_US |
| dc.contributor.institutionauthor | Aybek, Ahmet Şenol | |
